Modulator intensywności Rof, cienkowarstwowy modulator niobianu litu, modulator TFLN 40G

Krótki opis:

Materiał cienkowarstwowy z niobianu litu na izolatorze (LNOI) dziedziczy doskonałe właściwości elektrooptyczne materiałów z niobianu litu, stanowiąc nowe rozwiązanie dla szybkich układów modulatorów elektrooptycznych, które można integrować, miniaturyzować i które charakteryzują się wysoką wydajnością modulacji. Opracowaliśmy szerokopasmowy, cienkowarstwowy modulator elektrooptyczny LiNbO3 o niskim napięciu półfalowym, oparty na materiale LNOI. Nasz produkt charakteryzuje się doskonałą stabilnością, niską stratą wtrąceniową i niewielkimi rozmiarami, co jest zaletą w porównaniu z tradycyjnymi modulatorami z niobianu litu, i ma szerokie perspektywy zastosowania w dziedzinie szybkiej komunikacji optycznej i fotoniki mikrofalowej.

Wyślij do nas e-mail POBIERAĆ

Szczegóły produktu

Rofea Optoelectronics oferuje produkty z zakresu modulatorów elektrooptycznych z zakresu optyki i fotoniki

Tagi produktów

Funkcja

Duża przepustowość, niskie straty, niskie napięcie sterujące, niewielkie rozmiary, wysoka stabilność

Pole

Szybka komunikacja optyczna, fotonika mikrofalowa, radar itp.

Modulator intensywności Rof EOM 20G cienkowarstwowy modulator niobianu litu Modulator TFLN

Parametr

Pparametr	Sym	wskaźnik	Jednostka
długość fali roboczej	λ	1530~1565	nm
Strata wtrąceniowa optyczna	IL	≤ 5,5 (typowo 4,5)	dB
współczynnik wyginięcia	ER	≥ 25	dB
Strata odbicia optycznego	RL	≤ -30	dB
Maksymalna moc optyczna wejściowa	P_in	≤ 200	mW
Szerokość pasma modulacji elektrooptycznej (3 dB, od 2 GHz)	BW	≥ 40	GHz
Napięcie półfalowe RF przy 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
Odbicie RF	S₁₁	≤ -10	dB
Maksymalna moc wejściowa RF	S_in	≤ 25	dBm
Moc półfalowa polaryzacji termicznej	Pπ	50	mW
Napięcie polaryzacji termicznej	U_podgrzewacz	< 8	V
Temperatura pracy	T_O	-55~85	℃
Temperatura przechowywania	T_S	-55~85	℃

Informacje o zamówieniu

Sym	Dopis	Parametr opcjonalny
λ	długość fali roboczej	C (~1550nm),O (~1310 nm)
BW	Szerokość pasma 3 dB	40(40GHz)
PD	Monitorowanie PD	1 (zintegrowany), 0 (niezintegrowany)
IF	Światłowód wejściowy	P (włókno utrzymujące polaryzację)
OF	Wyjście światłowodowe	P (włókno zachowujące polaryzację), S (standardowe włókno jednomodowe)
S	Napięcie półfalowe	Standard S

Rozmiar pakietu i definicja pinu

Pw definicji:

Snić	Fnamaszczenie
RF	Wejście RF, głowica żeńska 1,85 mm
A	Elektroda polaryzacji termostatycznej (dodatnia i ujemna)
B	Elektroda polaryzacji termostatycznej
C	Zapasowa elektroda polaryzacji do regulacji termicznej
D	Zapasowa elektroda polaryzacji do regulacji termicznej

Poprzedni: Rof 2000nm Szybki 2um elektrooptyczny modulator fazy

Następny: Fotodetektor krzemowy ROF z regulowanym wzmocnieniem

Rofea Optoelectronics oferuje linię produktów komercyjnych, takich jak modulatory elektrooptyczne, modulatory fazy, modulatory natężenia, fotodetektory, laserowe źródła światła, lasery DFB, wzmacniacze optyczne, EDFA, laser SLD, modulacja QPSK, laser impulsowy, detektor światła, zbalansowany fotodetektor, sterownik laserowy, wzmacniacz światłowodowy, miernik mocy optycznej, laser szerokopasmowy, laser przestrajalny, detektor optyczny, sterownik diody laserowej i wzmacniacz światłowodowy. Oferujemy również wiele specjalistycznych modulatorów do personalizacji, takich jak modulatory fazy w układzie 1*4, modulatory o ultraniskim VPI i ultrawysokim współczynniku ekstynkcji, wykorzystywane głównie na uniwersytetach i w instytutach.
Mamy nadzieję, że nasze produkty okażą się pomocne w Twoich badaniach.

Powiązane produkty