Rof Modulator elektrooptyczny 1550nm Modulator intensywności serii AM 2.5G

Krótki opis:

Modulator intensywności LiNbO3 jest szeroko stosowany w szybkich systemach komunikacji optycznej, systemach wykrywania laserowego i systemach ROF ze względu na dobre parametry elektrooptyczne. Seria R-AM oparta na konstrukcji push-pull MZ i konstrukcji X-cut, posiada stabilne właściwości fizyczne i chemiczne, które mogą być stosowane zarówno w eksperymentach laboratoryjnych, jak i systemach przemysłowych.

Wyślij e-mail do nas

Szczegóły produktu

Rofea Optoelectronics oferuje produkty optyczne i fotoniczne Modulatory elektrooptyczne

Tagi produktów

Funkcja

* Niska strata wtrąceniowa
* Wysoka przepustowość
* Niskie napięcie półfali
* Opcja dostosowywania

Modulator elektrooptyczny Modulator elektrooptyczny Modulator intensywności LiNbO3 Modulator MZM Modulator Macha-Zehndera Modulator LiNbO3 Modulator niobianu litu

Aplikacja

⚫ Systemy ROF
⚫ Kwantowa dystrybucja klucza
⚫ Laserowe systemy wykrywania
⚫ Modulacja pasma bocznego

Długość fali

⚫750nm

⚫850nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310nm

⚫ 1550nm

Przepustowość łącza

⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz

R-AM-15-2,5G

Parametr				Symbol		Min	Typ	Maks	Jednostka
Parametry optyczne
Operacyjnydługość fali				l		1530	1550	1565	nm
Strata wtrąceniowa				IL			4	5	dB
Optyczna utrata powrotu				ORL				-45	dB
Przełącznik współczynnika ekstynkcji @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dynamiczny współczynnik ekstynkcji				DER			13		dB
Światłowód	Wejścieport					Panda PM Fujikura SM
	wyjścieport					Panda PM Fujikura SM
Interfejs światłowodowy						FC/PC, FC/APC Lub użytkownik do określenia
Parametry elektryczne
Operacyjnyprzepustowość łącza（-3dB）					S₂₁	2.5	3		GHz
Napięcie półfalowe Vpi		RF			@50 kHz		4,5	5	V
		Bm.in			@Stronniczość		6	7	V
Elektrycznyalstrata zwrotna					S₁₁		-12	-10	dB
Impedancja wejściowa			RF		Z_RF	50			W
			Stronniczość		Z_{STRONNICZOŚĆ}	1M			W
Interfejs elektryczny						SMA(f)

Warunki graniczne

Parametr	Symbol	Jednostka	Min	Typ	Maks
Wejściowa moc optyczna	P_{w, Maks}	dBm			20
Iwprowadź moc RF		dBm			28
napięcie polaryzacji	Vbias	V	-15		15
Operacyjnytemperatura	Szczyt	℃	-10		60
Temperatura przechowywania	Tst	℃	-40		85
Wilgotność	RH	%	5		90

Krzywa S21

Krzywa &S11

Krzywe S21 i S11

Schemat mechaniczny

PORT	Symbol	Notatka
W	Ooptyczny port wejściowy	Włókno PM (125μm/250μm)
Na zewnątrz	Ooptyczny port wyjściowy	PM Błonnik(125μm/250μm)
RF	RPort wejściowy F	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Stronniczość	Port kontroli odchylenia	1,2 stronniczość, 3-katoda PD, anoda 4-PD

Poprzedni: Rof Modulator elektrooptyczny 1550nm Modulator intensywności serii AM o wysokim współczynniku wygaszania

Następny: Rof Modulator elektrooptyczny 1550nm Tłumienie nośnika Modulator jednopasmowy Modulator SSB

Rofea Optoelectronics oferuje linię produktów komercyjnych modulatorów elektrooptycznych, modulatorów fazy, modulatora natężenia, fotodetektorów, laserowych źródeł światła, laserów DFB, wzmacniaczy optycznych, EDFA, lasera SLD, modulacji QPSK, lasera impulsowego, detektora światła, fotodetektora zbalansowanego, sterownika laserowego , Wzmacniacz światłowodowy, Miernik mocy optycznej, Laser szerokopasmowy, Laser przestrajalny, Detektor optyczny, Sterownik diody laserowej, Wzmacniacz światłowodowy. Oferujemy również wiele konkretnych modulatorów do dostosowania, takich jak modulatory fazy w układzie 1*4, modulatory o bardzo niskim Vpi i modulatory o bardzo wysokim współczynniku ekstynkcji, stosowane głównie na uniwersytetach i instytutach.
Mamy nadzieję, że nasze produkty będą pomocne dla Ciebie i Twoich badań.

Powiązane produkty